【个人简介】

谢海情，男，1982年9月生，博士，教授，博士生导师，湖南省青年骨干教师，新利luck在线·（中国）有限公司官网“湖湘学者”人才计划（青年英才II岗）。

【主要研究领域】

微纳传感器与集成电路，重点在电源管理芯片、LED驱动芯片、微纳光电传感器芯片等方向开展研究工作。

【教学情况】

主要承担《模拟集成电路原理》、《集成电路CAD》、《半导体器件原理实验》、《随机信号分析与处理》课程教学；主持省级教学改革研究项目1项，获新利luck在线·（中国）有限公司官网教学成果一等奖（排名第二）；指导学生学科竞赛获国家二等奖1项、三等奖1项，省级二等奖及以上6项。

【科研项目】

先后主持国家自然科学基金1项，湖南省自然科学基金2项，湖南省教育厅优秀青年项目1项、创新平台开放基金项目1项，长沙市科技计划项目重点项目1项，企业委托技术开发横向课题7项（合同经费124万元）；完成科技成果转化5项（转化金额123万元）。

【代表性论文】

在国内外SCI/EI收录学术刊物发表科研论文30余篇，出版学术专著1部，近五年发表的代表性论文如下：

[1]Hai-Qing Xie, Kai-Yue Cui, Xi-Ya Cai, Zhi-Qiang Fan, Dan Wu. Two-dimensional SiC Schottky junctions with symmetrical and asymmetrical metal electrode contacts, Applied Surface Science, 605 (2022) 154699

[2]Hai-Qing Xie, Xi-Ya Cai, Kai-Yue Cui, Xin-Bo Yi, Jun-Lin Lu, Zhi-Qiang Fan. High-performance monolayer or bilayer SiC short channel transistors with metallic 1T-phase MoS2 contact, Physics Letters A, 436 (2022) 128070

[3]Hai-Qing Xie, Kai-Yue Cui, Xi-Ya Cai, Zhi-Qiang Fan. P-type doping induced performance improvement of two-dimensional SiC transistors with 1T-phase MoS2 electrode, Physics Letters A, 431 (2022) 128007

[4]Hai-Qing Xie, Kai-Yue Cui, Xin-Bo Yi, Jing-Shuo Liu, Zhi-Qiang Fan. Impact of P-type doping and channel length on the performance of 2D SiC MOSFET, Micro and Nanostructures, 184 (2023) 207683

[5]H.-Q. Xie, G. Liu, and X.-Y. Cai et al., Impact of Circular Layout on Characteristics in LSAMBM APD Based on SOI Film, Silicon, 14(5)：3395–3401 (2022)

[6]Haiqing Xie*，Zhenyu Wang，Gang Liu，Junlin Lu，Xinbo Yi. A novel active-input cascode current mirror with high precision and low power dissipation. Engineering Reports, 2021, doi: 10.1002/eng2.12451

[7]Hai-Qing Xie, Dan Wu, Xiao-Qing Deng, Zhi-Qiang Fan, Wu-Xing Zhou, Chang-Qing Xiang, and Yue-Yang Liu. Simulations of Monolayer SiC Transistors with Metallic 1T-Phase MoS2 Contact for High Performance Application, Chinese Physics B, 2021,30(11): 117102

[8]H.-Q. Xie, J.-Y. Li, et al., Impact of Gate-Source/Drain Underlap on the Performance of Monolayer SiC Schottky-Barrier Field-Effect Transistor, IEEE T. Electron Dev., 2020, 67(10):4130-4135

[9]Hai-Qing Xie^*, Yong-Da Peng, Jie-Ying Li, Li-Juan Wu. Lateral Separate Absorption Multi-Buffer Multiplication Avalanche Photodiode Based on SOI Film, IEEE T. Electron Dev., 2019，66(7): 3003-3006

[10]H.-Q. Xie, J.-Y. Li, et al., High-Performance Schottky-Barrier Field-Effect Transistors Based on Monolayer SiC Contacting Different Metals, IEEE T. Electron Dev., 2019, 66(12):5111-5116

[11]谢海情，宜新博，曾健平，曹武，谢进，凌佳琪. 基于神经网络的雪崩光电二极管SPICE模型构建，湖南大学学报(自然科学版)，2023，50(10):84-89

[12]谢海情, 王振宇, 曾健平, 等.一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源设计.湖南大学学报(自然科学版)，2021，48(8):119-124

【专利和获奖情况】

[1] 谢海情，彭永达，贾新亮，文勇军，王超，王龙. SOI基栅控横向SAM结构蓝紫光单光子探测器及其制备方法，发明专利，ZL 201611247381.9，2019年11月 （已技术转让）

[2] 谢海情，唐俊龙，彭润伍，曾承伟，肖正，周斌腾. 透明电极栅控横向PIN蓝紫光探测器及其制备方法，中国, 发明专利, ZL 210410607431.4，2016年7月  （已技术转让）

[3]     谢海情，曹武. RCHSLDO芯片版图设计，集成电路布图登记，BS.235513474，2023年7月

[4] 谢海情，彭永达，肖海鹏，陈玉辉，李洁颖. SOI基LSAMBM雪崩光电二极管，实用新型专利，ZL2018210754441，2019年4月

[5] 谢海情，陈玉辉，肖海鹏，李洁颖，汪章紫璇，王振宇，刘刚. 一种无运放的电流检测电路，实用新型专利，ZL2018213900168，2019年6月  （已技术转让）

[6] 谢海情，蔡稀雅，范志强，刘刚，崔凯月. 一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，实用新型专利，ZL 202022397823.6，2021年1月

【联系方式】

Email: xiehq@csust.edu.cn

实验室：新利luck在线·（中国）有限公司官网（云塘校区）理科楼C307