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谢海情 教授


   

【个人简介】

谢海情,男,1982年9月生,博士,教授,博士生导师,湖南省青年骨干教师,新利luck在线·(中国)有限公司官网“湖湘学者”人才计划(青年英才II岗)。

【主要研究领域】

微纳传感器与集成电路,重点在电源管理芯片、LED驱动芯片、微纳光电传感器芯片等方向开展研究工作。

【教学情况】

主要承担《模拟集成电路原理》、《集成电路CAD》、《半导体器件原理实验》、《随机信号分析与处理》课程教学;主持省级教学改革研究项目1项,获新利luck在线·(中国)有限公司官网教学成果一等奖(排名第二);指导学生学科竞赛获国家二等奖1项、三等奖1项,省级二等奖及以上6项。

【科研项目】

先后主持国家自然科学基金1项,湖南省自然科学基金2项,湖南省教育厅优秀青年项目1项、创新平台开放基金项目1项,长沙市科技计划项目重点项目1项,企业委托技术开发横向课题7项(合同经费124万元);完成科技成果转化5项(转化金额123万元)。

【代表性论文】

在国内外SCI/EI收录学术刊物发表科研论文30余篇出版学术专著1部近五年发表的代表性论文如下:

[1]Hai-Qing Xie, Kai-Yue Cui, Xi-Ya Cai, Zhi-Qiang Fan, Dan Wu. Two-dimensional SiC Schottky junctions with symmetrical and asymmetrical metal electrode contacts, Applied Surface Science, 605 (2022) 154699

[2]Hai-Qing Xie, Xi-Ya Cai, Kai-Yue Cui, Xin-Bo Yi, Jun-Lin Lu, Zhi-Qiang Fan. High-performance monolayer or bilayer SiC short channel transistors with metallic 1T-phase MoS2 contact, Physics Letters A, 436 (2022) 128070

[3]Hai-Qing Xie, Kai-Yue Cui, Xi-Ya Cai, Zhi-Qiang Fan. P-type doping induced performance improvement of two-dimensional SiC transistors with 1T-phase MoS2 electrode, Physics Letters A, 431 (2022) 128007

[4]Hai-Qing Xie, Kai-Yue Cui, Xin-Bo Yi, Jing-Shuo Liu, Zhi-Qiang Fan. Impact of P-type doping and channel length on the performance of 2D SiC MOSFET, Micro and Nanostructures, 184 (2023) 207683

[5]H.-Q. Xie, G. Liu, and X.-Y. Cai et al., Impact of Circular Layout on Characteristics in LSAMBM APD Based on SOI Film, Silicon, 14(5):3395–3401 (2022)

[6]Haiqing Xie*,Zhenyu Wang,Gang Liu,Junlin Lu,Xinbo Yi. A novel active-input cascode current mirror with high precision and low power dissipation. Engineering Reports, 2021, doi: 10.1002/eng2.12451

[7]Hai-Qing Xie, Dan Wu, Xiao-Qing Deng, Zhi-Qiang Fan, Wu-Xing Zhou, Chang-Qing Xiang, and Yue-Yang Liu. Simulations of Monolayer SiC Transistors with Metallic 1T-Phase MoS2 Contact for High Performance Application, Chinese Physics B, 2021,30(11): 117102

[8]H.-Q. Xie, J.-Y. Li, et al., Impact of Gate-Source/Drain Underlap on the Performance of Monolayer SiC Schottky-Barrier Field-Effect Transistor, IEEE T. Electron Dev., 2020, 67(10):4130-4135

[9]Hai-Qing Xie*, Yong-Da Peng, Jie-Ying Li, Li-Juan Wu. Lateral Separate Absorption Multi-Buffer Multiplication Avalanche Photodiode Based on SOI Film, IEEE T. Electron Dev., 2019,66(7): 3003-3006

[10]H.-Q. Xie, J.-Y. Li, et al., High-Performance Schottky-Barrier Field-Effect Transistors Based on Monolayer SiC Contacting Different Metals, IEEE T. Electron Dev., 2019, 66(12):5111-5116

[11]谢海情,宜新博,曾健平,曹武,谢进,凌佳琪. 基于神经网络的雪崩光电二极管SPICE模型构建,湖南大学学报(自然科学版),2023,50(10):84-89

[12]谢海情, 王振宇, 曾健平, 等.一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源设计.湖南大学学报(自然科学版),2021,48(8):119-124

【专利和获奖情况】

[1] 谢海情,彭永达,贾新亮,文勇军,王超,王龙. SOI基栅控横向SAM结构蓝紫光单光子探测器及其制备方法,发明专利,ZL 201611247381.9,2019年11月 (已技术转让

[2] 谢海情,唐俊龙,彭润伍,曾承伟,肖正,周斌腾. 透明电极栅控横向PIN蓝紫光探测器及其制备方法,中国, 发明专利, ZL 210410607431.4,2016年7月  已技术转让

[3]     谢海情,曹武. RCHSLDO芯片版图设计,集成电路布图登记,BS.235513474,2023年7月

[4] 谢海情,彭永达,肖海鹏,陈玉辉,李洁颖. SOI基LSAMBM雪崩光电二极管,实用新型专利,ZL2018210754441,2019年4月

[5] 谢海情,陈玉辉,肖海鹏,李洁颖,汪章紫璇,王振宇,刘刚. 一种无运放的电流检测电路,实用新型专利,ZL2018213900168,2019年6月  已技术转让

[6] 谢海情,蔡稀雅,范志强,刘刚,崔凯月. 一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管,实用新型专利,ZL 202022397823.6,2021年1月

【联系方式】

Email: xiehq@csust.edu.cn

实验室:新利luck在线·(中国)有限公司官网(云塘校区)理科楼C307


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