2024年1月4日两点，华中科技大学游龙教授应邀作为我院电子信息类专业前沿系列名师专题课的主讲人，为我院2021级电子科学与技术专业的本科生讲授了一堂题目为《面向感存算一体化的自旋电子器件研究》的名师前沿专题课程，前来聆听课程的师生合计80余人，学院副院长范志强出席并主持会议。

游龙教授首先从信息技术时代的发展出发，讲述了以电荷操控为核心的晶体管由于面临严峻的功耗挑战导致摩尔定律行将失效，并提出操控自旋电子可在静态功耗中实现非易失性，在动态功耗中实现感存算一体化从而极大降低器件能耗，成为了后摩尔时代研究的焦点。

随后详细介绍了：1、利用自旋极化电流诱导自旋轨道矩（SOT）操控磁畴壁运动实现单器件三维矢量磁场探测传感器研究，并成功将其应用于临床心脏介入手术实现精确定位穿刺。2、通过自组装生长L10-FePt，实现电流诱导自旋转移力矩（STT）调控L10-FePt的探针式磁存储技术。3、利用SOT调控磁性斯格明子运动轨迹，实现可重构逻辑门器件。4、基于SOT的磁矩翻转随机分布对微/纳米尺寸磁性体进行概率调控，可模拟神经元信息传输以及实现随机比特流发生器。5、利用自旋操控技术还可实现自旋存内模拟加/减法、乘法以及积分的算术计算功能。最后，游教授也简单介绍了在铁电方面的研究工作，利用电场调控PMN-PT铁电材料产生裂缝来实现晶体管的开关作用。

游教授的授课让我院师生对利用自旋电子技术实现非挥发性随机存储器、自旋神经形态器件、自旋逻辑计算电路和信息安全器件等领域的技术概念和设计方案有了更全面、深入的认识。课程结束后，游教授耐心解答了师生们的有关学术问题，并与部分师生进行了深入交流和讨论。

主讲人简介: 

游龙，华中科技大学教授，博士生导师。近二十年来一直从事与微电子技术特别是自旋电子学相关的国际技术前沿课题研究。面向国家重大需求和国际前沿，在非挥发性随机存储器、自旋神经形态器件、自旋逻辑计算电路和信息安全器件等领域开创性地提出了多项重要的新技术概念和设计方案，并在实验中得到验证。游龙教授取得了多项具有国际领先水平的创新性研究成果。近五年来，以第一或通讯作者在Nature Nanotechnology，IEEE IEDM和IEEE EDL等期刊发表多篇论文，总被引次数超过5300次，并被Science、MRAM-Info、News & Views of Nat.Nanotechnol、Phy.Org、科技日报、央视新闻等作为高新技术亮点报道。实验室毕业生多在高科技公司或高校工作。

(文、图/周勇 一审/张冬 二审/范志强  终审/张国强)